فهرست شکل‌ها
 
عنوان ..  صفحه

شکل 1-1: دوقطبی در نظر گرفته شده بر روی آنتن میکرو استریپ (Garg et al., 2000) 3
شکل1-2 : امواج سطحیGarg et al , 2000)). 4
شکل 1-3 : امواج نامتراکم Garg et al , 2000)). 5
شکل 1-4 : انتشار امواج در محیط راست گرد( Veselago ,1968) 7
شکل 1-5 : انتشار امواج در محیط چپ گرد( Veselago ,1968) 8
شکل 1-6 : اولین آرایه SRR ساخته شده در سال 1998(Smith et al., 2000) 9
الکتریکی منفی( .(Pendry et al., 1998. 10
شکل 1-8 : ساختار سلول واحد با خاصیت ضریب نفوذ پذیری مغناطیسی                     منفی Limaye, 2006)).. 12
شکل 1-9 : نمودار ضریب نفوذ پذیری مغناطیسی برحسب فرکانس ( .(Limaye, 2006. 13
شکل 1-10 : سلول واحد محیط DNGالف)ساختار یک بعدی                                        ب) ساختار دو بعدی(Limaye, 2006) 15
شکل 1-11 : مدل خط انتقال( .(Caloz et al., 2005. 16
شکل 1-12 : شمای عملیاتی الگوریتم بهینه سازی تجمع ذرات   20

شکل 2-1 : ساختار کلی آنتن میکرو استریپ با پچ مستطیلی( .(Balanis,1997  24
شکل 2-2 : اشکال رایج پچ آنتن میکرواستریپ( .(Garg et al., 2001. 24
شکل 2-3 : تغذیه به روش خط میکرو استریپ( .(Garg et al., 2001. 27
شکل 2-4 : تغذیه به روش کابل هم محور ( .(Garg et al., 2001. 28
شکل 2-5 : تغذیه به روش تزویج روزنه ای( .(Garg et al., 2001. 29
شکل 2-6 : تغذیه به روش تزویج الکترومغناطیسی( .(Garg et al., 2001. 30
شکل 2-7 : خط میکرو استریپ( .(Garg et al., 2001. 32
شکل 2- 8 : خطوط میدان الکتریکی( .(Garg et al., 2001. 32
شکل 2-9 : آنتن پچ میکرو استریپ ( .(Balanis, 1997. 33
شکل 2-10 : توزیع بار و ایجاد چگالی جریان در پچ میکرو استریپ .(Lo et al., 1979) 35
شکل 2-11 : جریان الکتریکی مد (0و1) .(Gardiol, 1995) 38
شکل 2-12 : جریان مغناطیسی مد (0و1) .(Gardiol, 1995) 38
شکل 2-13 : مدار معادل آنتن پچ میکرو استریپ.(Jackson et al., 1997) 43

شکل 3-1 : طبقه بندی مواد بر اساس ضریب گذردهی الکتریکی و نفوذ پذیری مغناطیسی.(Engheta et al., 2006) 45
شکل 3-2 : جهت بردار های ، ، و در محیط
راست گرد .(Shamonina et al., 2002) 47
شکل 3-3 : جهت بردار های ، ، و در محیط
چپ گرد .(Shamonina et al., 2002) 47
شکل 3-4 : نمایش شکست موج در محیط چپ گرد.(Marques et al., 2007) 51
شکل 3-5 : تشعشع چرنکوف در محیط راست گرد.(Marques et al., 2007) 53
شکل 3-6 : تشعشع چرنکوف در محیط چپ گرد.(Marques et al., 2007) 53

شکل3-7 : میدان در نزدیکی سطح محیط راست                                                        گرد و چپ گرد(Engheta et al., 2006)… 55
شکل3-8 : استفاده از فرامواد به عنوان رولایه آنتن                          میکرواستریپ(Chainmool et al., 2009)… 60
شکل3-9 : بهره آنتن میکرواستریپ با بهره گرفتن از                                                          رولایه و مقایسه آن با بهره آنتن بدون رولایه(Chainmool et al., 2009).   61
شکل 3-10 : سلول واحد فرامواد(Majid et al., 2009)… 61
شکل 3-11 : بهره آنتن میکرو استریپ در صفحه E (Majid et al., 2009).   62
شکل 3-12 : بهره آنتن میکرو استریپ در صفحه H (Majid et al., 2009).   62
شکل 3-13 : سلول واحد فرامواد(Chainmool et al., 2010)… 63
شکل 3-14 : ساختار آنتن به همراه فرامواد به رولایه(Chainmool et al., 2010).   63
شکل 3-15 : بهره آنتن میکرو استریپ به همراه رولایه                                         فرامواد(Chainmool et al., 2010)… 64

شکل 4-1 : نمودار قسمت حقیقی ضریب شکست سیم باریک بر حسب فرکانس با بهره گرفتن از روش Smith . (Wakatsuchi, 2011) 74
شکل 4-2 : نمودار قسمت حقیقی ضریب شکست سیم باریک بر حسب فرکانس با بهره گرفتن از روش Ziolkowski . (Wakatsuchi, 2011) 74
شکل 4-3 : نمودار قسمت حقیقی امپدانس موجSRR بر حسب فرکانس با بهره گرفتن از روش Smith . (Wakatsuchi, 2011) 75
شکل 4-4 : نمودار قسمت حقیقی امپدانس موج SRRبر حسب فرکانس با بهره گرفتن از روش Ziolkowski . (Wakatsuchi, 2011) 76
شکل 4-5 : نمودار قسمت حقیقی ضریب شکستSRR بر حسب فرکانس با بهره گرفتن از روش Smith . (Wakatsuchi, 2011) 75
شکل 4- 6 : نمودار قسمت حقیقی ضریب نفوذ پذیری مغناطیسی SRR بر حسب فرکانس با بهره گرفتن از روش Ziolkowski . (Wakatsuchi, 2011) 77
شکل 4-7 : نمودار قسمت حقیقی ضریب شکست فراماده بر حسب فرکانس با بهره گرفتن از روش Smith . (Wakatsuchi, 2011) 78
شکل 4-8 : نمودار قسمت حقیقی ضریب شکست فراماده بر حسب فرکانس با بهره گرفتن از روش Ziolkowski . (Wakatsuchi, 2011) 79
شکل 4-9 : نمودار قسمت حقیقی ضریب گذردهی الکتریکی فراماده بر حسب فرکانس با بهره گرفتن از روش Ziolkowski . (Wakatsuchi, 2011) 79
شکل 4-10 : نمودار قسمت حقیقی ضریب نفوذ پذیری مغناطیسی فراماده بر حسب فرکانس با بهره گرفتن از روش Ziolkowski . (Wakatsuchi, 2011) 80
شکل 4-11 : نمودار قسمت حقیقی ضریب شکست فراماده بر حسب فرکانس با بهره گرفتن از روشNRW . (Wakatsuchi, 2011) 80
شکل 4-12 : نمودار قسمت حقیقی ضریب نفوذ پذیری مغناطیسی فراماده بر حسب فرکانس با بهره گرفتن از روشNRW . (Wakatsuchi, 2011) 81
شکل 4-13 : نمودار قسمت حقیقی ضریب گذردهی الکتریکی فراماده بر حسب فرکانس با بهره گرفتن از روش NRW . (Wakatsuchi, 2011) 81

شکل 5-1 : نمای کلی از حرکت ذرات بر اساس بهترین مکان ذره و گروه در فضای دو بعدی (Robinson et al., 2002) 89
شکل 5-2 : تابع sinc در فضای دو بعدی (Robinson et al., 2004) .   90
شکل 5-3 : مکان و جهت سرعت ذرات در تکرار اول جهت یافتن بیشینه تابع sinc در فضای دو بعدی (Robinson et al., 2004)… 91
شکل 5-4 : مکان و جهت سرعت ذرات در تکرار دویست جهت یافتن بیشینه تابع sinc در فضای دو بعدی (Robinson et al., 2004) … 91
شکل 5-5 : نمودار شایستگی بر حسب تکرار ساختار بهینه سازی تجمع ذرات جهت یافتن بیشینه تابع sinc در فضای دو بعدی با وزن اینرسی 9/0. (Robinson et al., 2004) 93
شکل 5-6 : نمودار شایستگی بر حسب تکرار ساختار بهینه سازی تجمع ذرات جهت یافتن بیشینه تابع sinc در فضای دو بعدی با وزن اینرسی 4/0. (Robinson et al., 2004) 94
شکل 5-7 : نمودارمکان ذرات بر حسب تکرار ساختار بهینه سازی تجمع ذرات جهت یافتن بیشینه تابع sinc در فضای دو بعدی با تغییر خطی وزن اینرسی دربازه9/0-4/0 (Robinson et al., 2004) 94
شکل 5-8 : نمودار شایستگی بر حسب تکرار ساختار بهینه سازی جهت یافتن بیشینه تابع sinc در فضای دو بعدی با تغییر خطی وزن اینرسی دربازه9/0-4/0                 (Robinson et al., 2004) 95
شکل 5-9 : شرط مرزی دیواره های جاذب در فضای دو بعدی. (Robinson et al., 2004) 98
شکل 5-10 : شرط مرزی دیواره های انعکاسی در فضای دو بعدی                               (Robinson et al., 2004) 98
شکل 5-11شرط مرزی دیواره های غیر قابل تشخیص در فضای دو بعدی              . (Robinson et al., 2004) 98
شکل 5-12 : بهینه سازی پارامترهای آنتن.. 105

شکل 6-1 : ساختار سلول واحد فراماده اول.. 105
شکل 6-2 : نمودار اندازه ساختار فراماده اول با فاصله هوایی 3/0میلی متر بر حسب فرکانس.. 106
شکل 6-3 : نمودار اندازه ساختار فراماده اول با فاصله هوایی اولیه و مقدار بدست      آمده از الگوریتم بهینه سازی بر حسب فرکانس.. 107
شکل 6-4 : نمودار ضریب شکست ساختار فراماده اول بهینه شده بر حسب فرکانس.. 108
شکل 6-5 : نمودار ضریب نفوذپذیری مغناطیسی ساختار فراماده اول بهینه شده بر حسب فرکانس.. 108
شکل 6-6 : نمودار ضریب گذردهی الکتریکی ساختار فراماده اول بهینه شده بر حسب فرکانس.. 109
شکل 6-7 : ساختار سلول واحد فراماده دوم.. 110
شکل 6-8 : نمودار اندازه ساختار فراماده دوم با فاصله هوایی 3/0میلی متر بر حسب فرکانس.. 111
شکل 6-9 : نمودار اندازه ساختار فراماده دوم با فاصله هوایی اولیه و مقدار بدست        آمده از الگوریتم بهینه سازی بر حسب فرکانس.. 111
شکل 6-10 : نمودار ضریب شکست ساختار فراماده دوم بهینه شده بر حسب فرکانس.. 112
شکل 6-11 : نمودار ضریب گذردهی الکتریکی ساختار فراماده دوم بهینه شده بر حسب فرکانس.. 112
شکل 6-12 : نمودار ضریب نفوذپذیری مغناطیسی ساختار فراماده دوم بهینه شده بر حسب فرکانس.. 113
شکل 6-13 : ساختار سلول واحد فراماده سوم.. 115
شکل 6-14 : نمودار اندازه ساختار فراماده سوم با فاصله هوایی 2/0میلی متر بر حسب فرکانس.. 115
شکل 6-15 : نمودار اندازه ساختار فراماده سوم با فاصله هوایی اولیه و مقدار بدست آمده از الگوریتم بهینه سازی بر حسب فرکانس   116
شکل 6-16 : نمودار ضریب شکست ساختار فراماده سوم بهینه شده بر حسب فرکانس.. 116

این مطلب را هم بخوانید :

شکل 6-17 : نمودار ضریب گذردهی الکتریکی ساختار فراماده سوم بهینه شده بر حسب فرکانس.. 117
شکل 6-18 : نمودار ضریب نفوذپذیری مغناطیسی ساختار فراماده سوم بهینه شده بر حسب فرکانس.. 117
شکل 6-19 : ساختار سلول واحد فراماده چهارم.. 119
شکل 6-21 : نمودار اندازه ساختار فراماده چهارم با فاصله هوایی اولیه و مقدار بدست آمده از الگوریتم بهینه سازی بر حسب فرکانس   120
شکل 6-22 : نمودار ضریب شکست ساختار فراماده چهارم بهینه شده بر حسب فرکانس.. 120
شکل 6-23 : نمودار ضریب گذردهی الکتریکی ساختار فراماده چهارم بهینه شده بر حسب فرکانس.. 121
شکل 6-24 : نمودار ضریب نفوذپذیری مغناطیسی ساختار فراماده چهارم بهینه شده بر حسب فرکانس.. 121

شکل7-1 : آنتن میکرواستریپ با بهره گرفتن از رولایه فراماده اول   127
شکل7-2 : بهره آنتن میکرواستریپ با بهره گرفتن از رولایه فراماده اول   127
شکل7-3 : بهره آنتن میکرواستریپ بدون استفاده از رولایه فراماده   128
شکل7-4 : سمت گرایی آنتن میکرواستریپ با بهره گرفتن از رولایه فراماده اول.. 128
شکل7-5 : سمت گرایی آنتن میکرواستریپ بدون استفاده از رولایه فراماده   129
شکل7-6 : آنتن میکرواستریپ با بهره گرفتن از رولایه فراماده دوم   131
شکل7-8 : بهره آنتن میکرواستریپ بدون استفاده از رولایه فراماده   132
شکل7-9 : سمت گرایی آنتن میکرواستریپ با بهره گرفتن از رولایه فراماده دوم.. 132
شکل7-10 سمت گرایی آنتن میکرواستریپ بدون استفاده از رولایه فراماده   133
شکل7-11 : آنتن میکرواستریپ با بهره گرفتن از رولایه فراماده سوم   135
شکل7-12 : بهره آنتن میکرواستریپ با بهره گرفتن از رولایه فراماده سوم   135
شکل7-13 : بهره آنتن میکرواستریپ بدون استفاده از رولایه فراماده   136
شکل7-14 : سمت گرایی آنتن میکرواستریپ با بهره گرفتن از رولایه فراماده سوم.. 136
شکل7-15 : سمت گرایی آنتن میکرواستریپ بدون استفاده از رولایه فراماده.. 137
شکل7-16 : آنتن میکرواستریپ با بهره گرفتن از رولایه فراماده چهارم   139
شکل7-17 : بهره آنتن میکرواستریپ با بهره گرفتن از رولایه فراماده چهارم   139
شکل7-18 : بهره آنتن میکرواستریپ بدون استفاده از رولایه فراماده   140
شکل7-19 سمت گرایی آنتن میکرواستریپ با بهره گرفتن از رولایه فراماده چهارم.. 140
شکل7-20 : سمت گرایی آنتن میکرواستریپ بدون استفاده از رولایه فراماده.. 141
شکل7-21 : نمای فوقانی آنتن میکرواستریپ ساخته شده با بهره گرفتن از رولایه فراماده اول.. 142
شکل7-22 : نمای جانبی آنتن میکرواستریپ ساخته شده با بهره گرفتن از رولایه فراماده اول.. 143
شکل7-23 : مقایسه بهره آنتن میکرواستریپ شبیه سازی و ساخته شده با بهره گرفتن از رولایه فراماده اول.. 143
شکل7-24 : مقایسه الگوی تشعشی آنتن میکرواستریپ شبیه سازی و ساخته شده با بهره گرفتن از رولایه فراماده اول الف) H-plane ب) E-plane  144