دانشکده تحصیلات تکمیلی

”M.Sc“ پایان نامه برای دریافت درجه کارشناسی ارشد

مهندسی برق- الکترونیک

عنوان:

مدل سازی پدیده های مزوسکوپیک در ترانزیستورهای MOS مقیاس نانومتر

برای رعایت حریم خصوصی اسامی استاد راهنما،استاد مشاور و نگارنده درج نمی شود

تکه هایی از متن به عنوان نمونه :

چکیده:
نوسانات تناوبی در مشخصه IV افزاره های MOSFET زیر 100 نانومتر در دماهای پایین توسط برخی پژوهشگران در آزمایش های تجربی مشاهده شده است. برای توجیه نوسانات تناوبی، نظریه های مختلفی بیان شده است. همه ی این نظریه ها انتقال کوانتمی حامل ها در کانال را مطرح می سازند. از مقایسه نتایج تجربی با نظریه های موجود، به این نتیجه می توان رسید که برای توجیه علمی وجود این نوسانات، نظریه سد کولونی و ترانزیستور تک الکترونی مناسب می باشد. ما هم بر اساس نظریه سد کولونی و ترانزیستور تک الکترونی یک مدل اسپایس را شبیه سازی نم ودیم. نتایج بدست آمده از این شبیه سازی، تایید می کند که نظریه سد کولونی و ترانزیستور تک الکترونی توجیه بسیار مناسبی برای وجود نوسانات تناوبی در افزاره های نانومتری می باشد . بعلاوه هر چه خازن کل جزیره (که اساس کار ترانزیستور تک الکترونی است ) کوچکتر باشد، این ترانزیستور می تواند در دماهای بالاتری کار کند که این امر منطبق بر نظریه سد کولونی و ترانزیستور تک الکترونی می باشد. از طرفی، شبیه سازی های انجام شده نشان می دهد که هر چه خازن جزیره کوچکتر شود، جریان خروجی هم کمتر می شود که این خود ممکن است باعث مشکلاتی در کاربردهای ترانزیستور تک الکترونی شود.
فصل اول
1- مقدمه

قابلیت صنعت نیمه هادی برای فراهم کردن محصولاتی با کاهش مداوم قیمت و در عین حال افزایش کارآیی آنها، علت اصلی موفقیت آن بوده است. این موفقیت نتیجه کاهش ابعاد و به دنبال آن افزایش تعداد افزاره ها در یک تراشه می باشد.
در ابعاد زیر 100 نانومتر پدیده های جدیدی که در ساختارهای بزرگتر وجود نداشتند، رفتار MOSFET ها را تحت تاثیر قرار می دهند. SIA پیش بینی می کند که حداقل ابعاد افزاره ها در سال 2012 در حدود 35nm و 108 ترانزیستور بر سانتیمتر مربع برای فناوری CMOS شود.
کاملاً مشخص است که رفتار این افزاره ها که مدارات آینده با آنها ساخته می شود، با رفتار افزاره های امروزی با ابعاد بزرگتر متفاوت است. در این بین مدل سازی و بررسی خصوصیات این افزاره ها می تواند به بسیاری از بحث ها ی موجود در ارتباط با کوچک سازی بیشتر افزاره ها، پاسخ دهد. یعنی اینکه اگر نتوانیم افزاره ها را مدل سازی کنیم، مسئله کوچک سازی به عنوان سدی پیش روی توسعه ی صنعت نیمه هادی باقی خواهد ماند. هدف اصلی این پایان نامه بررسی و مدل سازی پدیده های محتمل در مورد MOSFET های زیر 100 نانومتر می باشد.

این مطلب را هم بخوانید :

مهمترین هدف مدل سازی بدست آوردن روش های ممکن برای بررسی های عددی مورد نیاز درباره خصوصیات و رفتار افزاره ها می باشد.
در فصل دو ابتدا مختصری در مورد نظریه کلی MOS توضیح داده خواهد شد. سپس در فصل سوم مسئله توضیح داده خواهد شد. سپس در فصل سوم مسئله ID(VG که از نتایج تجربی ساخت افزاره ها ی زیر 100 نانومتر توسط برخی از پژوهشگران بدست آمده است نشان داده خواهد شد. چیزی که مهم است اینست که در آزمایش های تجربی پدیده هایی دیده شد که در MOS های با مقیاس بالاتر دیده نشده بود. یعنی اینکه این پدیده ها را نمی توان با نظریه کلاسیک موجود در مورد MOS یعنی نظریه “نفوذ – رانش” توجیه کرد. به همین علت مجبور هستیم که نظریه های جدیدی را بررسی کنیم تا شاید بتوان نتایج تجربی را به آنها نسبت داد. فصل چهارم به این موضوع می پردازد. وجود این نوسانات به عنوان یک پدیده جدید، بسیار جالب توجه بود که انگیزه ی اصلی کار روی این پایان نامه می باشد.

دانشکده تحصیلات تکمیلی

سمینار برای دریافت درجه کارشناسی ارشد

مهندسی برق – مخابرات

عنوان:

بررسی مواد بند گپ، فرا موادها و کاربرد آنها در خطوط انتقال و آنتن ها

برای رعایت حریم خصوصی اسامی استاد راهنما،استاد مشاور و نگارنده درج نمی شود

تکه هایی از متن به عنوان نمونه :

چکیده
قرن حاضر، پیشرفت های اساسی را در زمینه نیمه هادی ها تجربه کرده است. بسیاری از اکتشافات عظیم در فیزیک از مطالعه بر روی امواج در ساختارهای پریودیک سرچشمه می

 گیرد. شکاف باندهای الکترومغناطیسی (EBG)، دسته ای جدید از دی الکتریک های متناوب هستند که می توان آنها را جایگزین فوتونیکی نیمه هادی ها دانست. امواج الکترومغناطیسی در EBG رفتاری مشابه الکترون ها در نیمه هادی ها دارند. تناوب در این مواد باعث جلوگیری از انتشار امواج در یک فرکانس معین می شود.

ظهور ساختارهای EBG، کاربردهای آنتنی بسیار جدیدی را به همراه داشت. دو ویژگی اساسی شکاف باندهای الکترومغناطیسی، تضعیف مدهای زیر لایه ای ناخواسته و داشتن رفتاری مشابه صفحه زمین مغناطیسی مصنوعی است. امروزه بسیاری از آنتن ها بایستی کوچک و پهن باند باشند. دستیابی به چنین آنتن هایی نیاز به زیرلایه ای ضخیم با گذردهی الکتریکی بالا دارد. چنین زیرلایه ای دو عیب عمده دارد: ماده ای با گذردهی بالا از نظر اقتصادی مقرون به صرفه نیست و دومین ایراد به مدهای زیرلایه ای ناخواسته باز می گردد که در لبه های زیر لایه منتشر و اثر مخربی بر پترن تشعشعی آنتن دارند. در سال 1990 میلادی، محققان یک ساختار شکاف باند الکترومغناطیسی را به عنوان زیرلایه معرفی کردند که قابلیت حذف مدهای زیرلایه ای ناخواسته را داشت.
مقدمه
در سالهای اخیر، ایده مواد مرکبی که دارای نفوذپذیری الکتریکی و مغناطیسی منفی در فرکانس های معمول هستند بسیار مورد توجه قرار گرفته است. پر واضح است که پاسخ یک

این مطلب را هم بخوانید :

تاریخچه ارتباط صنعت و دانشگاه

 سیستم، در حضور میدان الکترومغناطیسی، تا حدود زیادی به وسیله خواص مواد تشکیل دهنده آن محیط مشخص می گردد. در این مجال، تلاش شده است که این ویژگی های به وسیله پارامترهای ماکروسکوپیک، یعنی نفوذپذیری الکتریکی و نفوذپذیری مغناطیسی u توصیف شوند.

در حالی که اغلب، یک ماده با چندین مقدار ثابت نفوذپذیری الکتریکی و مغناطیسی (مستقل از فرکانس) توصیف می شود. ولی در حقیقت ویژگی های مواد دارای وابستگی فرکانسی می باشند. انواع مختلفی از مدل ها برای توصیف پاسخ فرکانسی مواد وجود دارد. با در نظر گرفتن اینکه در یک محیط میدان الکتریکی غالب است یا میدان مغناطیسی، این مدلها به چندین گروه تقسیم می شوند. اگر میدان مغناطیسی از میدان

دانشکده تحصیلات تکمیلی

“M.Sc” پایان نامه برای دریافت درجه کارشناسی ارشد

مهندسی برق – قدرت

عنوان:

ارائه الگوریتم نوینی جهت بهبود هماهنگی حفاظتی در شبکه توزیع با حضور منابع تولید پراکنده

برای رعایت حریم خصوصی اسامی استاد راهنما،استاد مشاور و نگارنده درج نمی شود

تکه هایی از متن به عنوان نمونه :

چکیده:
از مزایای منابع تولید پراکنده (DG) در شبكه های توزیع می توان به كاهش تلفات سیستم، بهبود پروفیل ولتاژ، بهبود قابلیت اطمینان و به تعویق انداختن سرمایه گذاری برای توسعه شبكه نام برد. از طرف دیگر از پیچیده تر شدن حفاظت و كنترل سیستم توزیع، عدم قطعیت در شرایط بهر هبرداری و مالكیت خصوصی DG كه باعث پیچیده شدن هماهنگی بین DG های خصوصی با یكدیگر و با شبكه شده است، به عنوان اشكالات نفوذ DG در شبكه های توزیع نام برد. یکی از مهم ترین تاثیرات تولید پراکنده، اثر گذاری آن بر روی حفاظت سیستم توزیع می باشد.
به طور كلی مشكلات ایجاد شده توسط منابع تولید پراكنده برای حفاظت شبكه های توزیع عبارتند از: تریپ اشتباه فیدرها، تریپ اشتباه واحدهای تولیدی، كور شدن حفاظت، افزایش و كاهش سطح اتصال كوتاه، جزیره ای شدن ناخواسته، جلوگیری از بازبست اتوماتیک و بازبست غیر سنكرون.

ظهور این مشكلات به مشخصات شبكه و منابع تولید پراكنده بستگی دارد و در اكثر مواقع برای جلوگیری از آن باید حفاظت شبكه به كلی تغییر كند. این تغییر طرح حفاظتی ممكن است بسیار پیچیده باشد، چرا كه باید كل سیستم، از جمله شبكه و DG مدل شوند، به طوری كه تصور بهترین طرح حفاظتی هنوز بسیار دور از دسترس است.
در این پایان نامه ابتدا تعاریف مختلف تولید پراكنده در استانداردها و كشورهای مختلف آورده شده است. مزایای فنی و اقتصادی استفاده از تولید پراكنده مورد ارزیابی قرار گرفته و تكنولوژی های مختلف تولید پراكنده توضیح داده می شود. و تأثیرات مخربی را كه بر روی سیستم توزیع می گذارد معرفی می گردد. در ادامه به تفصیل درباره چگونگی حفاظت سیستم های شعاعی (سنتی) و تجهیزات اصلی حفاظتی مورد استفاده در آنها توضیح داده می شود. چگونگی و اصول هماهنگی حفاظتی این تجهیزات در شبكه بیان شده است. تأثیرات تولید پراكنده برروی حفاظت سیستم توزیع مورد ارزیابی قرارمی گیرد. در انتها به معرفی الگوریتم پیشنهادی و نقشی كه در بهبود هماهنگی حفاظتی سیستم در حضور تولید پراكنده ایفا می كند پرداخته می شود. و نتایج شبیه سازی پیاده سازی الگوریتم بر روی شبكه نمونه آورده می شود و با نتایج شبیه سازی بدون پیاده سازی الگوریتم جدید مقایسه می گردد و نتایج مورد نظر اخذ می شود.

این مطلب را هم بخوانید :

مقدمه:
طرح مباحث زیست محیطی و بحران نفتی ناشی از وقایع سیاسی در خاورمیانه در سالهای دهه 1970 به همراه تغییرات در اقتصاد جهانی، منجر به كاهش نرخ رشد مصرف انرژی الكتریكی از 6 – 7% به 1/6 – 3% در دهه 1980میلادی شد. به دنبال كاهش تقاضا، افزایش ب یرویه هزینه های انتقال و توزیع انرژی از 25% به حدود 15% از هزینه تولید، دغدغه های عمومی برای سلامت محیط زیست، دستیابی به تكنولوژی های پیشرفته و پذیرش تغییرات در شبكه ها، واحدهای كوچك تولید پراكنده حتی با ظرفیت یک كیلووات را وارد بازار رقابتی تولید و توزیع انرژی الكتریكی کرد. در حال حاضر صنعت برق در دنیا دستخوش یک سری تغییرات ساختاری و كلی به منظور دستیابی همزمان و دسترسی همه جانبه به شبكه برق و همچنین استفاده از مزایای تولید پراكنده شده است. سالها پیش از این، برق تنها درنیروگاه های بزرگ تولید می شد اما امروزه

دانشكده تحصیلات تكمیلی

“M.Sc” پایان نامه برای دریافت درجه كارشناسی ارشد

مهندسی برق – مخابرات

عنوان:

تحلیل و شبیه سازی كاربرد ساختارهای EBG و Metamaterial superstrate در افزایش گین و دایركتیویته آنتن های میكرواستریپ

برای رعایت حریم خصوصی اسامی استاد راهنما،استاد مشاور و نگارنده درج نمی شود

تکه هایی از متن به عنوان نمونه :

چكیده:

آنتن های میكرواستریپ كاربرد های زیادی در صنعت، تجهیزات مخابراتی و نظامی دارند كه به دلیل سادگی تحلیل و ساخت و خصوصیات تشعشعی جالبشان است. با این وجود این آنتنها بهره و پهنای باند پایینی دارند كه به دلیل وجود موج سطحی و تشعشع منبع در جهات مختلف است. یک راه حل جدید استفاده از ساختارهای متناوب Electromagnetic band gap یا به اختصار EBG است. در این رساله دو كاربرد این ساختارهای متناوب مورد بررسی قرار گرفته است. در كاربرد اول ساختار های
متناوب بر روی زیرلایه آنتن قرار می گیرند كه با ایجاد یک باند شكاف در یک محدوده فركانسی معین از انتشار موج سطحی جلوگیری می نمایند. در كاربرد دوم، ساختار های متناوب EBG در یک فاصله معین بالای منبع تشعشع آنتن كه پچ است قرار گرفته و با ایجاد پدیده فوق شكست، تشعشع در جهات مختلف را در جهت عمود به ساختار های EBG متمركز می نماید.
مقدمه:
مواد Electromagnetic bandgap، ساختارهای متناوب هستند كه از دی الكتریک ها، مواد فلزی یا تركیبی از مواد فلزی و دی الكتریكی، تشكیل شده اند. این ساختار ها می

این مطلب را هم بخوانید :

تجربه متفاوت از سفر با خودرو؛ گزارش نمایشگاه خودروهای کمپ‌ و کاروان

 توانند از انتشارموج در جهات و فركانس های ویژه جلوگیری نمایند، بنابراین آنها می توانند به عنوان فیلترهای فركانسی و جهتی در نظر گرفته شوند. پیكربندی های گوناگونی از ساختارهای EBG وجود دارند كه می توانند در آنتن های میكرواستریپ مورد استفاده قرار گیرند. این پیكربندی ها به سه طبقه تقسیم می شوند:

– سطوح امپدانس بالا مانند ساختار های EBG دو بعدی كه می توانند به عنوان زیر لایه آنتن های میكرواستریپ به منظور حذف موج سطحی استفاده شوند.
– سطوح مصنوعی مانند هادی های مغناطیسی مصنوعی و سطوح غیرفعال برای طراحی آنتن های low profile.
– آنتن ها با دایركتیوته بالا كه بر اساس ایجاد باند گذر و ضریب شكست صفر در ساختارهای EBG طراحی می شود. در این حالت ساختار EBG به عنوان یک فلیتر فركانسی و جهتی معین با ضریب كیفیت بالا عمل كرده و امواج الكترومغناطیسی را عبور می دهد.
برای برخی منابع تشعشعی مانند آنتن های پچ میكرواستریپ ساختارهای EBG می توانند به صورت فوق لایه پیكربندی شوند هدف اصلی از این پیكربندی افزایش بهره و دایركتیویته آنتن های میكرواستریپ می باشد. آنتن های دایركتیو فشرده با یک نقطه تغذیه، جذابیت بالایی در عمل دارند. با این وجود پترن های تشعشعی آنها توسط موج سطحی تحت تاثیر قرار گرفته و گین پایینی دارند. از سوی دیگر آنتن های آرایه ای بهره و دایركتیویته بالایی دارند اما دارای مكانیسم تغذیه پیچیده و بازده تشعشع محدود به كاربرشان می باشند. بنابراین آنتن با بهره و دایركتیویته بالا با ساختارهای فشرده و مكانیسم تغذیه ساده در سال های اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. برای رسیدن به این منظور از ساختار های EBG استفاده شده است.
فصل اول
كلیات
1-1) هدف
آنتن های میكرواستریپ مزیت زیادی از جمله low profile، تطبیق پذیری با سطوح صفحه ای و غیرصفحه ای، سادگی وارزانی ساخت با بهره گرفتن از تكنولوژی مدار چاپی مدرن، استحكام مكانیكی و تطبیق

دانشكده تحصیلات تكمیلی

“M.Sc” سمینار برای دریافت درجه كارشناسی ارشد

مهندسی برق – كنترل

عنوان:

كاربرد نظریه تركیب اطلاعات در تعیین روند تغییرات بازار بورس (روش OWA)

برای رعایت حریم خصوصی اسامی استاد راهنما،استاد مشاور و نگارنده درج نمی شود

تکه هایی از متن به عنوان نمونه :

چكیده:
در این سمینار ابتدا بصورت مختصر مفاهیم اصلی سیستم سهام را بیان میكنیم. سپس روش های Conventional تركیب اطلاعات را توضیح می دهیم. پس از آن كاربرد روش OWA در تركیب اطلاعات حاصل از شاخصها برای تعیین نوسانات بازار بورس را مورد بررسی قرار میدهیم. در گام بعدی، اطلاعات مربوط به 10 روز كاری بازار بورس تهران را به عنوان داده های مورد نیاز در نظر گرفته و منحنی های مربوط به شاخص های تاثیر گذار در بازار بورس را بدست می آوریم. در انتها شبیه سازی روش توسط نرم افزار Matlab و نتایج آن را مورد مطالعه قرار می دهیم.

مقدمه:
اولین بورس اوراق بهادار در دنیا در شهر آمستردام و توسط اولین شركت چند ملیتی به نام كمپانی هند شرقی هلند راه اندازی شد. به همین ترتیب كمپانی هند شرقی هلند اولین شركتی بود كه سهام منتشر كرد. بورس آمستردام در سپتامبر 1602، شش ماه پس از تشكیل شركت كمپانی هند شرقی هلند تاسیس شد.
در سال 1698، فهرستی از نرخ سهام و كالا توسط شخصی در قهوه خانهای در لندن منتشر شد. داد و ستد در لندن آغاز شده بود و كارگزاران دریافتند كه باید هرچه زودتر از بورس سلطنتی – مركز تجارت لندن – خارج شوند. بورس سلطنتی مركز داد و ستد اقلام فیزیكی یعنی كالاهایی كه از بندر (لنگرگاه لندن) وارد میشد بود.
50 سال بعد اولین بورس اوراق بهادار لندن به وجود آمد. این بورس جدید اوراق بهادار لندن، نقش مهمی در انقلاب صنعتی بریتانیا ایفا كرد و ماهیت اوراق بهادار در سطح اروپا و ایالات متحده فراگیر شد. اما تا سال 1801 هیچ گونه مقررات یا عضویت رسمی در بورس اوراق بهادار لندن مشاهده نشد. در حالیكه بزرگترین گامهای تغییر در تاریخ دنیا به وقوع می پیوست، هنوز تعدادی اعتقاد داشتند كه خرید و فروش سهام امری غیر اخلاقی و شیطانی محسوب میشود.

این مطلب را هم بخوانید :

همزمان با انتشار فهرست ابزارهای مالی در قهوه خانهای در لندن، كارگزاران سهام در زیر درختی در خیابان “وال استریت ” نیویورك برای داد و ستد سهام، نشست ترتیب دادند. وال استریت، یک دیوار مستحكم در نیویورك بود كه به هر علتی توسط هلندیان بنا شده بود. در سال 1792، 24 كارگزار سهام قراردادی را امضا كردند كه بعدها “هیأت سهام و بورس نیویورك” – شركتی كه بعدها به بورس اوراق بهادار نیویورك تبدیل شد جایگزین آن شد. قرار داد” باتن وود نه تنها پیدایش بورس اوراق بهادار نیویورك را باعث شد بلكه شاهد انكارناپذیری مبنی بر توسعه ایالات متحده و تبدیل آن به یک ابرقدرت اقتصادی محسوب شد. جالب است كه وال استریت در كنار دیگر سمبل ایالات متحده یعنی آسمان خراشها، به عنوان نماد قدرت و پول این كشور به شمار میرود. امروزه نقش بورس اوراق بهادار در اقتصاد جهان غیر قابل انكار است. شاید محققان نیز هیچگاه تصور نمیكردند كه كاری كه شركتی در 400 سال پیش ابداع كرد، سراسر دنیا را در برگیرد.