سمینار برای دریافت درجه کارشناسی ارشد
مهندسی برق – الکترونیک
عنوان:
بررسی مشخصه های الکتریکی DG-SOI MOSFETs
برای رعایت حریم خصوصی اسامی استاد راهنما،استاد مشاور و نگارنده درج نمی شود
تکه هایی از متن به عنوان نمونه :
چکیده
در این سمینار مشخصه های DG-SOI MOSFET در جهت بهینه سازی عملکرد این ترانزیستور مورد بررسی قرار گرفته است. برای بهینه سازی از روش تغییر ابعاد ترانزیستورها و کاهش ولتاژ تغذیه استفاده شده است. مزایا، نحوه بکارگیری در مدار و ساختارهای مختلف افزاره ماسفت دو گیتی سیلیکان بر روی عایق (DG-SOI MOSFET) مورد بررسی قرار گرفته است. ماسفت دو گیتی به عنوان افزاره مناسب، و ناحیه زیر آستانه به عنوان مناسب ترین ناحیه برای کاربردهای توان پایین معرفی شده اند. اثرات تغییر پارامترهای ساختاری بر روی مشخصات الکتریکی افزاره نانومتری DG-SOI MOSFET در ناحیه زیر آستانه، با بهره گرفتن از شبیه سازی در نرم افزار ISE-TCAD مورد
بررسی قرار گرفته است. شبیه سازیهای انجام شده نشان می دهند که کاهش ضخامت بدنه منجر به کاهش ارتفاع سد پتانسیل و افزایش خازن موثر گیت (CG,eff) می شود، در صورتی که جریان حالت روشن افزاره (ION) کاهش می یابد؛ این امر ناشی از کاهش قابلیت حرکت الکترون ها در اثر کاهش ضخامت بدنه می باشد. با کاهش طول نواحی سورس و درین (LD,LS)، خازن های لبه ای (CFringe) کوچک می گردند و در نتیجه CG,eff کاهش می یابد، این در حالی است که مشصخه ولتاژ جریان و نیز ارتفاع سد پتانسیل تغییر
این مطلب را هم بخوانید :
پایان نامه : تأثیر فناوری اطلاعات بر توسعه استراتژی منابع انسانی و … - بررسی و نقد پایان نامه ها
چندانی نمی کنند. بررسی های